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J-GLOBAL ID：200903014871592868

半導体製造用真空処理装置

Inventor： 海藤 厚志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133192
Publication number (International publication number)：1996325704
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造用真空処理装置の反応室を大気圧から真空排気する場合に、初期排気の急激な圧力変化によって生ずる半導体基板へのパーティクル付着を防止する。【構成】 反応室1と真空ポンプ6とを結ぶ真空配管9内に弾性体11に結合した可動板10を配置し、反応室出口側と真空ポンプ入口側との圧力差が大から小に変化するのに応じて、可動板10は真空配管内のコンダクタンスを小から大に自動的に可変する。これにより、大気圧からの初期排気に際して、初めは排気速度を遅く、徐々に排気速度を速くし排気を行うことができ、初期排気の急激な反応室圧力変化を緩和し、半導体基板へのパーティクル付着を防ぐ。

Claim (excerpt)：

反応室と、真空ポンプと、真空配管系と、絞り機構とを有する半導体製造用真空処理装置であって、反応室は、半導体基板を処理するものであり、真空ポンプは、前記反応室内を所望の真空度に真空引きするものであり、真空配管系は、前記反応室と前記真空ポンプとを接続するものであり、絞り機構は、前記真空配管系に設けられ、前記反応室出口側圧力と前記真空ポンプ入口側圧力との圧力差を検知し、その圧力差に応じて前記真空配管系のコンダクタンスを変化させるものであることを特徴とする半導体製造用真空処理装置。

IPC (5)：

C23C 14/00 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

C23C 14/00 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B