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J-GLOBAL ID：200903014881550896

受光素子

Inventor： 山口 栄一
Applicant, Patent owner： 株式会社パウデック
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001342158
Publication number (International publication number)：2003142721
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 複数の波長帯域を一つの受光素子で検出し、個別に出力し、高機能、高効率で光フィルタまたは分光器を用いずに高機能受光システムを構成できる多波長域受光素子の構造および受光システムに関するものである。【解決手段】 基板1に長波長光を吸収するためのn型半導体層3、アンドープ半導体層4、p型半導体層5を積層し、その上部に短波長光を吸収するためのn型半導体層6、アンドープ半導体層7を積層する。オーミック電極9、10、11を夫々層3、層5、層7に形成し、ショットキ電極8を層7に形成する。p型層5とn型層6とがpn構造の素子分離層となる。光が表面から入射すると短波長の光が層7で吸収され電子および正孔が夫々電極11、電極8から取り出される。残りの光は更に浸入し層4で吸収され、生成した電子は層3に正孔は層4に移動し夫々電極9、電極10から取り出される。

Claim (excerpt)：

波長帯域を弁別して受光する積層型半導体受光素子であって、異なるバンドギャップ値を持つ、2つ以上の半導体光吸収層と、キャリア分離障壁層がその間に積層されて成り、各々の光吸収層を貫く光束により発生したキャリア又は、キャリアによる起電力を各々の光吸収層の一端に形成された電極により分離して取り出す構造を具備する多波長域受光素子

F-Term (12)：

5F049MA03 ,  5F049MA05 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049QA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05