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J-GLOBAL ID：200903014881657208

多層バンプ接続基板の製造方法

Inventor： 木下 昌己
Applicant, Patent owner： 日本無線株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207084
Publication number (International publication number)：1995045960
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 製造過程において、特に熱的履歴を経過しても剥離等の生じない信頼性の高い多層バンプ接続基板の製造方法を提供する。【構成】 回路部分に設けられたバンプ接合部と回路パターンとをそれぞれ有する複数の樹脂基板1、4、6を高熔融点の半田材料を使用して押圧しながらバンプ接合した後、次に低熔融点の半田材料を使用して押圧しながらバンプ接合する多層バンプ接続基板の製造方法において、複数の樹脂基板1、4、6の端面周辺部分にもバンプ接合部を設け、複数の樹脂基板の積層接合後、結晶粗大化した端面周辺部分を切削除去する多層バンプ接続基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

回路部分に設けられたバンプ接合部と回路パターンとをそれぞれ有する複数の樹脂基板を高熔融点の半田材料を使用して押圧しながらバンプ接合した後、次に低熔融点の半田材料を使用して押圧しながらバンプ接合する多層バンプ接続基板の製造方法において、前記複数の樹脂基板の端面周辺部分にもバンプ接合部を設け、前記複数の樹脂基板の積層接合後、結晶粗大化した該端面周辺部分を切削除去することを特徴とする多層バンプ接続基板の製造方法。