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J-GLOBAL ID：200903014888011192

半導体レーザ装置

Inventor： 窪田 晋一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995036414
Publication number (International publication number)：1996236862
Application date： Feb. 24, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置に関し、簡単な製造工程によってレーザの基本的特性を劣化させることなく、光ファイバとの光学的結合を容易にするビームサイズ変換器を一体化する。【構成】 基板1上に一導電型の第1クラッド層2、第1光導波路層3、一導電型の第2クラッド層4、活性層を含む第2光導波路層5、及び、光軸方向において一部が欠落したメサストライプ状のリッジ8を有する反対導電型のクラッド層6,7とを順次積層させ、リッジの幅Wが一定で長さL1 のレーザ領域10、リッジの幅が光軸方向にテーパ状になった長さL2 のテーパ領域11、及び、リッジの欠落した長さL3 の方向性結合器領域12を一体的に形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に一導電型の第1クラッド層、第1光導波路層、一導電型の第2クラッド層、活性層を含む第2光導波路層、及び、光軸方向において一部が欠落したメサストライプ状のリッジ部を有する反対導電型のクラッド層とを順次積層した半導体レーザ装置において、前記リッジ部が一定のメサ幅を有する領域と、前記メサ幅が光軸方向にテーパ状になった領域とからなり、前記リッジ部が一定のメサ幅を有する領域をレーザ領域とし、前記リッジの欠落した領域を方向性結合器領域としたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02B 27/09

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02B 27/00 E