Pat

J-GLOBAL ID：200903014894202250

光放射測定装置

Inventor： 西山 英夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991193847
Publication number (International publication number)：1993034199
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 正確なPPFDの測定が可能であるとともに光量子束密度比が測定できる光放射測定装置を目的とする。【構成】 波長比例型シリコンホトダイオード1に、400nmと700nmのシャープカットフィルタ2、3、および660nmと730nm干渉フィルタ4、5とそれぞのフィルタに対応した光シャッタ12、13、14、15を設け、その出力をメモリ22、23、24に記憶し、演算部8にて、PPFDあるいは660nm/730nm光量子束密度比を精度よく測定できる小形の光放射測定装置である。

Claim (excerpt)：

照射された光を光電変換する光電変換素子と、前記光電変換素子の基板上に装着した400nmの第1のシャープカットフィルタ、700nmの第2のシャープカットフィルタ、660nmの第1の干渉フィルタおよび730nmの第2の干渉フィルタと、それぞれの前記フィルタからの放射光に対応した前記光電変換素子の光電信号を記憶するメモリとを具備した光放射測定装置。

IPC (3)：

G01J 1/02 ,  A01G 7/00 ,  G01J 1/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-165226
  
• 特開昭60-063430
  
• 特開昭56-157823