ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322909
Publication number (International publication number)：2001142214
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】レジストパターンの密パターンと粗パターンのバランスが改良され、ラインエッジラフネスを改良されたポジ型フォトレジスト組成物を得る。【解決手段】(a)式(I)、(II)及び(III)で表される構造単位{R1及びR2は水素原子又はメチル基、R3は3級アルキル基、R1′、R2′は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基、R3′は鎖状もしくは環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す}を有する共重合体A、(b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(c)溶剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物。【化1】

Claim (excerpt)：

(a)下記一般式(I)、(II)及び(III) で表される構造単位を有する共重合体Aと、(b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(c)溶剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)〜(III) 中、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又はメチル基、R3は置換されてもよい3級アルキル基を表す。一般式(III)中、R1′、R2′は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R3′は、置換基を有してもよい鎖状アルキル基、置換基を有してもよい環状アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。

IPC (9)：

G03F 7/039 601 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F220/12 , C08K 5/00 , C08L 25/02 , C08L 25/18 , C08L 33/06 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/039 601 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F220/12 , C08K 5/00 , C08L 25/02 , C08L 25/18 , C08L 33/06 , H01L 21/30 502 R

F-Term (66)：

2H025AA03 , 2H025AA11 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 4J002BC041 , 4J002BC071 , 4J002BC121 , 4J002EB006 , 4J002EB027 , 4J002ED027 , 4J002EE037 , 4J002EH037 , 4J002EH157 , 4J002EL067 , 4J002EP017 , 4J002EQ016 , 4J002ER026 , 4J002EU027 , 4J002EU046 , 4J002EU056 , 4J002EU066 , 4J002EU116 , 4J002EU126 , 4J002EU136 , 4J002EU146 , 4J002EU186 , 4J002EU216 , 4J002EU236 , 4J002EV207 , 4J002EV236 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J100AB02S , 4J100AB04S , 4J100AB07P , 4J100AB07R , 4J100AB07S , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100BA02R , 4J100BA03P , 4J100BA04R , 4J100BA05S , 4J100BA20S , 4J100BC02R , 4J100BC03R , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC08R , 4J100BC09R , 4J100BC43R , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100CA27 , 4J100JA38

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