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J-GLOBAL ID：200903014909946960

半導体レーザ

Inventor： 竹内 辰也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189774
Publication number (International publication number)：1994037392
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 メサを迂回して埋込み層を流れるリーク電流が小さな半導体レーザに関し,p型不純物の拡散による埋込み層の抵抗低下の防止を目的とする。【構成】 p型半導体層4を有して半導体基板1上に形成されたメサ7と,深いアクセプタ準位を形成する不純物が添加されたIII-V 半導体からなり,メサ7の側壁に表出するp型半導体層4の端面に接してメサ7を埋め込む高抵抗の埋込み層8とを有する半導体レーザにおいて,p型半導体層4は,該埋込み層8に添加されて深いアクセプタ準位を形成する該不純物が添加されてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

p型半導体層(4)を有して半導体基板(1)上に形成されたメサ(7)と,深いアクセプタ準位を形成する不純物が添加されたIII-V 化合物半導体からなり,該メサ(7)の側壁に表出する該p型半導体層(4)の端面に接して該メサ(7)を埋め込む高抵抗の埋込み層(8)とを有し,該p型半導体層(4)は,該埋込み層(8)に添加されて深いアクセプタ準位を形成する該不純物元素が添加されてなることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-086785
  
• 特開昭62-269387