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J-GLOBAL ID：200903014914889444

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び半導体素子

Inventor： 鄭 載昌 ,  孔 根圭 ,  金 明洙 ,  金 亨基 ,  金 炯秀 ,  白 基鎬
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338660
Publication number (International publication number)：2000162772
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来より低い露光エネルギーでも優れた架橋能力を発揮するフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】 下記式(1)の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】前記式で、R1、R2及びRはそれぞれ、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖又は主鎖置換されたアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタールからなる群から選択されるものであり、R3は水素又はメチルであり、mは0又は1であり、nは1〜5の中から選択される整数である。

Claim (excerpt)：

下記式(1)の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】前記式で、R1、R2及びRはそれぞれ、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルであり、mは0又は1であり、nは1〜5の中から選択される整数である。

IPC (8)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F 24/00 ,  C08F220/06 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503

FI (8)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F 24/00 ,  C08F220/06 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A