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J-GLOBAL ID：200903014915921813

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 生駒 暢之
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997000730
Publication number (International publication number)：1998200190
Application date： Jan. 07, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 新規な窓構造を備えることによって高出力化を実現する半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板2上に第1導電型のクラッド層6と量子井戸活性層8及び第2導電型のクラッド層10,14を順に成長し、イオン注入法により、第2導電型のクラッド層14の表面側から所定領域に選択的にNイオン等の不純物原子を導入してイオン注入領域Xが形成されている。更にイオン注入領域Xの前記不純物原子が量子井戸活性層8に拡散しない条件下で熱処理し、前記所定領域で半導体基板全体をを劈開してその劈開面を光出射面とした構造となっている。前記不純物原子そのものは量子井戸活性層8までは拡散されず、イオン注入時に生じる空孔のみが前記熱処理時においてその量子井戸活性層8まで拡散する。この空孔のみの拡散により量子井戸活性層の所定領域中に井戸層と障壁層間の相互拡散がなされて混晶化した窓構造8difが形成され、高出力時の光学損傷を抑制する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に順に成長された第1導電型のクラッド層と、少なくとも1層の量子井戸層を有する活性層と、第2導電型のクラッド層とを備え、前記半導体基板の劈開面を共振器の二つの面とする構造を備えた半導体レーザであって、前記劈開面のうちの少なくとも一方の劈開面近傍の前記第2導電型のクラッド層の一部領域には不純物原子が導入され、且つ前記活性層の前記一方の劈開面近傍には前記不純物が導入されず、前記量子井戸層の井戸層と障壁層が混晶化した構造を備えることを特徴とする半導体レーザ。