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J-GLOBAL ID：200903014919817263
ガラス系素材のエッチング加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
細井 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244199
Publication number (International publication number)：1994064939
Application date： Aug. 20, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 パターンエッヂがシャープでパターン精度の高い凹凸パターンを与えるガラス系素材へのエッチング加工方法の提供。【構成】 ガラス系素材1を新しい室温の反応液6に浸漬反応させる操作を2〜3回繰り返した後、室温の新しい反応液6にガラス系素材1を浸漬して100°C付近に加温しながら反応させた後反応液6を廃棄する操作を、7〜8回繰り返して、銀鏡反応によりガラス系素材1のエッチング面の全面に銀皮膜層2を形成し、その表面を研磨した後、フォトレジスト層3を形成してフォトマスク4を通しパターン状に露光し、現像、固化してエッチングパターンを形成する。フッ酸を用いて所望の深さにエッチングを行い、しかる後フォトレジスト層3と銀皮膜層2を除去して凹凸パターンを設ける。
Claim (excerpt)：
ガラス系素材にエッチングパターンを形成した後、フッ酸を用いエッチングを行い素材表面に凹凸パターンを設けるエッチング加工方法において、銀鏡反応を利用し、ガラス系素材を新しい室温の反応液に浸漬して反応させた後該反応液を廃棄する操作を2〜3回繰り返した後、次いで反応液の温度が100°C付近に達するまで室温から徐々に加温した上記の新しい反応液に上記ガラス系素材を浸漬して反応させた後該反応液を廃棄する操作を、上記反応液の温度が室温から100°C付近に達するまで7〜8回繰り返して、銀鏡反応により上記ガラス系素材のエッチング面の全面に銀皮膜層を形成し、該銀皮膜層の表面を研磨した後、上記銀皮膜層の表面にフォトレジスト層を形成してフォトマスクを通しパターン状に露光し、現像、固化してエッチングパターンを形成した後、パターン状に露出した上記銀皮膜層をエッチングして銀皮膜層をパターン状に形成し、上記パターン状に形成されたフォトレジスト層と銀皮膜層とをガラスエッチング用マスクとしてフッ酸を用いて所望の深さにエッチングを行い、しかる後フォトレジスト層と銀皮膜層を除去して凹凸パターンを設けることを特徴とするガラス系素材のエッチング加工方法。
Patent cited by the Patent：
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