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J-GLOBAL ID：200903014922945345

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Inventor： 八尋 和之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012410
Publication number (International publication number)：1996203892
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得られるリフロー絶縁膜の比誘電率を高くし、平坦性に優れた層間絶縁膜を平坦化工程を行うことなく低コストで実現する。【構成】絶縁膜33を形成後の半導体基板30を収容した反応室20内にSiH4 ガス、H2 O2 およびマイクロ波導波管27を通したラジカルな状態のフッ素系ガスを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内でSiH4 ガス、H2 O2 およびフッ素系ガスを互いに反応させ、半導体基板上にリフロー形状を有するリフローSiO2 膜34を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の配線上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜を形成後の半導体基板を収容した反応室内にSiH4 ガス、H2 O2 およびマイクロ波導波管を通したラジカルな状態のフッ素系ガスを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で上記SiH4 ガス、H2O2 およびフッ素系ガスを互いに反応させ、上記半導体基板上にリフロー形状を有するリフローSiO2 膜を形成するリフロー膜形成工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 R