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J-GLOBAL ID：200903014927672266

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 井野 恒洋 ,  小山 正人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006245911
Publication number (International publication number)：2008066668
Application date： Sep. 11, 2006
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

【課題】 シリコン基板上に良質のペロブスカイト構造の単結晶を形成することができ、ペロブスカイト構造の単結晶を用いた素子の特性向上をはかる。【解決手段】 ペロブスカイト構造の強誘電体膜を用いた半導体装置であって、単結晶シリコン基板11上に形成されたZr1-x Six O2 (0.08≦x≦0.10)のa軸配向単結晶バッファ膜13と、バッファ膜13上に形成され、Pt又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された下部電極14と、下部電極14上に形成され、ペロブスカイト構造の単結晶で形成された強誘電体膜15と、強誘電体膜15上に形成され、Pt又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された上部電極16とを備えた。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板上に形成されたZr1-x Six O2 のa軸配向単結晶バッファ膜と、 前記バッファ膜上に形成され、Pt又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成され、ペロブスカイト構造の単結晶で形成された強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成され、Pt又はペロブスカイト構造の単結晶で形成された上部電極と、 を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  C23C 14/08

FI (5)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 447 ,  C23C14/08 K

F-Term (21)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16 ,  4K029GA01 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA20 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33