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J-GLOBAL ID：200903014928023989

フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  門倉 秀公 ,  松本 政道 ,  松本 浩 ,  横山 英親
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996292199
Publication number (International publication number)：1998102253
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の低誘電率層間絶縁膜として、フッ素含有シリコン酸化膜をCVD法で安定してつくる方法を提供することにある。【解決手段】 気相化学成長法により、基板の上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する方法において、Si(OR1)4[式中、R1は炭素原子数2〜3の直鎖または分岐を有するフルオロアルキル基を表す]で表されるテトラキス(フルオロアルコキシ)シラン化合物と酸化剤ガスを原料とするフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法。フルオロアルコキシとしては、具体的には1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロポキシや2,2,2-トリフルオロエトキシである。該化合物は、適度な蒸気圧をもち、安定でかつ腐食性、危険性の低い液体化合物で、安定して供給可能であるので、フッ素含有シリコン酸化膜を量産することができる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法により基板の上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する方法において、Si(OR1)4[式中、R1は炭素原子数2〜3の直鎖または分岐を有するフルオロアルキル基を表す]で表されるテトラキス(フルオロアルコキシ)シラン化合物と酸化剤ガスを原料とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。