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J-GLOBAL ID：200903014933491400
化合物半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992133201
Publication number (International publication number)：1993326567
Application date： May. 26, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 タングステンを主体とする耐熱金属をゲート電極に用いる化合物半導体装置において、ショットキー逆方向特性を改善し、ドレイン耐圧を向上させた化合物半導体装置を提供する。【構成】 ゲート電極8と半導体基板1間に発生するショットキー障壁よりも金属・半導体間のショットキー障壁が高い金属部9をゲート電極8の両脇に形成し、ゲート電極8下の空乏層17の形状をドレイン電極12側に伸ばすことによってドレイン電極12側のゲート電極8端直下に高電界がかからないようにする。
Claim (excerpt)：
耐熱金属であるタングステンを主体とする金属をゲート電極に用いた化合物半導体装置であって、前記ゲート電極と半導体基板間に発生するショットキー障壁よりも金属・半導体間のショットキー障壁が高い金属部を前記ゲート電極の両脇に形成したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
