Pat

J-GLOBAL ID：200903014933940582

半導体レーザ

Inventor： 瀧口 治久 ,  猪口 和彦 ,  工藤 裕章 ,  菅原 聰 ,  種谷 元隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219679
Publication number (International publication number)：1993283790
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】電流閉じ込め機能に優れ、モード損失が小さく外部微分量子効率が大きく、非点格差の小さい内部ストライプ半導体レーザの実現を目的とする。【構成】内部ストライプ半導体レーザにおいて、電流狭窄と光水平横モードを閉じ込める層群が前記活性層に近接する順番で禁制帯幅Eg 2 、禁制帯幅Eg 3 の連続した2層以上よりなり、前記活性層と前記電流・光閉込め層に挟まれたクラッド層の禁制帯幅をEg 5 としてここで Eg 2 ≧ Eg 1 ≧ Eg 3 かつ Eg 5 ≧Eg 2 とし、ストライプ外部の垂直方向横モードの等価屈折率がストライプ内部の等価屈折率よりも小となり、またストライプ外の等価吸収係数が充分小さくなるように前記電流・光閉込め層群の層厚を設定することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の導電型基板上に第1導電型のクラッド層、禁制帯幅Eg1 の活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層よりなる非埋め込み型の内部ストライプ半導体レーザにおいて、電流狭窄と光水平横モードを閉じ込める層群(以下電流・光閉込め層)が前記活性層に近接する順番で禁制帯幅Eg 2 、禁制帯幅Eg 3 、の連続した2層以上よりなり、前記活性層と前記電流・光閉込め層に挟まれたクラッド層の禁制帯幅をEg 5 としてここで、 Eg 2 ≧ Eg 1 ≧ Eg 3 かつ Eg 5 ≧Eg 2 とし、ストライプ外部の垂直方向横モードの等価屈折率がストライプ内部の等価屈折率よりも小となるように前記電流・光閉込め層群の層厚を設定することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-072173
  
• 特開昭56-135994
  
• 特開平2-178985
  
• 特開昭63-222490
  
• 特開平2-181486