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J-GLOBAL ID：200903014957497400

レーザー加工方法及び装置、並びに非導電性透明基板の回路形成方法及び装置

Inventor： 吉田 佳史 ,  梅津 一成
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998234889
Publication number (International publication number)：1999170072
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 2次元的又は3次元的なレーザ加工において、加工精度及び加工速度を向上させ、特に非導電性透明基板の表裏両面に導電性薄膜をエッチングして異なるパターンの回路を形成する。【解決手段】 レーザ発振器21から出力されたレーザ光Bを2軸制御可能なガルバノミラー23により反射し、集光レンズ22により集光して、その両面に導電性薄膜27、28を付着させた水晶基板などの被加工物27表面に照射して加工する。被加工物を載せた加工テーブル24をX方向に送りながら、ガルバノミラーを駆動してその反射方向を変化させることにより、X方向と直交するY方向にレーザ光を走査する。更に加工テーブルを、XY方向と直交するZ方向に移動させることができる。

Claim (excerpt)：

レーザ光の照射により被加工物を加工するレーザ加工方法において、前記被加工物を所定の方向に送る過程と、レーザ発振器から出力されたレーザ光を反射するガルバノミラーを駆動して、その反射方向を変化させることにより、前記被加工物の送り方向と異なる向きに前記レーザ光を走査する過程とからなることを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (6)：

B23K 26/00 ,  G01P 9/04 ,  H01L 21/302 ,  G01C 19/56 ,  H03H 3/02 ,  H05K 3/08

FI (7)：

B23K 26/00 A ,  G01P 9/04 ,  G01C 19/56 ,  H03H 3/02 A ,  H03H 3/02 B ,  H05K 3/08 D ,  H01L 21/302 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-132113
  
• 特開昭61-079714
  
• 特開平1-251689
  
• 特開昭59-174288