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J-GLOBAL ID：200903014961761375
トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999166504
Publication number (International publication number)：2000031465
Application date： Jun. 14, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 炭素ナノチューブを用いた接合型トランジスタを提供する。【解決手段】 トランジスタ20は、一束の(n、n)炭素ナノチューブ10から形成されるベース11と、前記ベース11の両側にそれぞれ接続され、(n、m、n-m≠3L)炭素ナノチューブ10からそれぞれ形成されるエミッタ15及びコレクタ13とを備える。炭素ナノチューブ10のトランジスタ20は、そのサイズが数nmに過ぎないので、素子のサイズを大幅に小型化させることができる。炭素ナノチューブ10の熱伝導度はシリコンよりも遥かに高いので、トランジスタ20の動作速度が向上する。
Claim (excerpt)：
一束の(n、n)炭素ナノチューブから形成されるベースと、前記ベースの両側にそれぞれ接続され、(n、m、n-m≠3L)炭素ナノチューブからそれぞれ形成されるエミッタ及びコレクタと、を備えることを特徴とするトランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
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