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J-GLOBAL ID：200903014962715326
改質装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993008027
Publication number (International publication number)：1994219704
Application date： Jan. 21, 1993
Publication date： Aug. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 改質触媒層から出た改質ガスの温度を下げて、高温シフト反応触媒層としての最適な温度にして、触媒を劣化させず、一酸化炭素を十分に反応させて残量を減少させる改質装置を提供する。【構成】 再生室を上端から下端まで内管の内壁に沿って流下する空塔の再生室を設け、改質ガスがその内側で再たび中間部まで上昇し中心部を流下するようにし、この再上昇あるいは流下する中心部にシフト反応触媒層を設けた構成とする。
Claim (excerpt)：
一端が閉じた同心多重管構成の外管外部から加熱し、外管と内管の間に改質触媒層を形成し、この触媒層に一端部側から供給される原料ガスを前記触媒層内を通過させて改質反応させると共に、前記触媒層の他端部側から得られる改質ガスを前記内管内部の再生室を通し、さらに再生室内の一部にシフト反応触媒層を設けて、前記ガスを通過させて外部に取り出す改質装置において、前記再生室を上端から下端まで内管の内壁に沿って流下する空塔の再生室を設け、改質ガスがその内側で再たび中間部まで上昇し中心部を流下するようにし、この再上昇あるいは流下する中心部にシフト反応触媒層を設けたことを特徴とする改質装置。
IPC (3)：
C01B 3/38
, B01J 8/06
, H01M 8/06
