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J-GLOBAL ID：200903014966510460

光電変換素子及びその製造方法

Inventor：
児島 克典

About 児島 克典

, 
関口 隆史

About 関口 隆史


Applicant, Patent owner：
日立マクセル株式会社

About 日立マクセル株式会社


Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001120202
Publication number (International publication number)：2002313444
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】低温焼結が可能で、且つ光励起電子の伝達経路を確実に形成できる半導体材料を用いた、優れた光電変換特性を示す光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、増感色素を担持した半導体層7が被着された第1の電極5と、前記第1の電極5の前記半導体層7と対峙する第2の電極9と、前記第1の電極5の前記半導体層7と前記第2の電極9との間に配置された電解質層13とを有する光電変換素子であって、前記半導体層7が、半導体粒子と半導体ゲルから構成されている光電変換素子とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも、増感色素を担持した半導体層が被着された第1の電極と、前記第1の電極の前記半導体層と対峙する第2の電極と、前記第1の電極の前記半導体層と前記第2の電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子であって、前記半導体層が、半導体粒子と半導体ゲルから構成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (12)：
5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051FA18 ,  5F051GA05 ,  5H032AA07 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE04 ,  5H032EE12 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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