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J-GLOBAL ID:200903014983879264

太陽電池素子の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田原 勝彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000130758
Publication number (International publication number):2001313400
Application date: Apr. 28, 2000
Publication date: Nov. 09, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、安定的なオーミック接触が得られず、電極強度が弱くモジュール化に対応できないという従来の問題点を解消した太陽電池素子の形成方法を提供する。【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上と前記半導体基板の他の主面側に銀粉末、有機ビヒクル、およびガラスフリットから成る電極材料を焼き付ける太陽電池素子の形成方法において、前記電極材料が、Ti、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr成分のうちのいずれか一種または複数種を含有する。
Claim (excerpt):
一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上と前記半導体基板の他の主面側に銀粉末、有機ビヒクル、およびガラスフリットから成る電極材料を焼き付ける太陽電池素子の形成方法において、前記反射防止膜上に焼き付ける電極材料が、Ti、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr成分のうちのいずれか一種または複数種を含有することを特徴とする太陽電池素子の形成方法。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01L 21/283
FI (3):
H01L 21/283 A ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 F
F-Term (14):
4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104EE17 ,  4M104GG05 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F051AA02 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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