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J-GLOBAL ID:200903014987376933

結晶薄膜の作製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993066786
Publication number (International publication number):1994279180
Application date: Mar. 25, 1993
Publication date: Oct. 04, 1994
Summary:
【要約】【構成】二種以上の金属元素を含む化合物の結晶薄膜を基板上に作製するに際し、該化合物を構成する少なくとも1種以上の金属元素を含みかつ互いに異なる組成の複数のターゲットに一定の周期で電磁波ビームを逐次照射して、基板上に該化合物とほぼ同じ金属組成になるような原子または分子を供給する際に、1供給周期中の蒸着される原子または分子の基板上に付着した平均モル数が該化合物結晶薄膜の単位格子1層分のモル数未満になるようにすることを特徴とする結晶薄膜の作製法。【効果】 目的とする薄膜組成にとらわれずに、広い材料範囲からターゲット材料を選択できるようにし、ターゲット組成が変動しにくいターゲットや緻密なターゲットを作製し易いターゲット材料を選択しやすく、広いパラメーター範囲での組成制御、粒発生の抑制を可能にする。
Claim (excerpt):
二種以上の金属元素を含む化合物の結晶薄膜を基板上に作製する結晶薄膜の作製法において、該化合物を構成する少なくとも1種以上の金属元素を含み且つ互いに組成が異なる複数のターゲットに一定の周期で電磁波ビームを逐次照射して、基板上に該化合物とほぼ同じ金属組成になるように原子又は分子を供給して薄膜を作製する際に、1供給周期中の蒸着される原子又は分子の基板上に付着した平均モル数が該化合物結晶薄膜の単位格子1層分のモル数未満になるようにすることを特徴とする結晶薄膜の作製法。
IPC (6):
C30B 23/08 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/06 ,  H01B 12/06 ZAA

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