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J-GLOBAL ID：200903015006280318

微細パターンとワイドパターンとが混在する集積回路ステージを形成するための方法

Inventor： シモン・ドゥレオニビュス
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (8)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002511022
Publication number (International publication number)：2004503927
Application date： Jun. 14, 2001
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

本発明においては、硬質マスク(3’)の直下において大きな半導体パターンを形成するように構成された放射感応性樹脂部分(4’)と、半導体層(2)内に微細パターンを形成するための粒子衝撃感応性樹脂(6)と、を使用する。大きな半導体パターンと微細パターンとは、隣接させることができる。第1樹脂パターンは、露光によって、全体的にかつ迅速に露光される。一方、粒子衝撃は、高精度でもって微細パターンを形成することができる。さらなる硬質マスク(9)を、第2樹脂(6)の成膜前に、形成する。さらなる硬質マスク(9)は、大きなパターンの周囲に側部(10)を有したものとして形成する。側部(10)は、大きなパターンを、エッチング時の側方攻撃から保護する。

Claim (excerpt)：

特に半導体からなる複数のパターンを有した集積回路ステージを形成するための方法であって、 前記複数のパターンの中のいくつかの第1パターン(2’)は、しきい値よりも大きな幅を有し、かつ、前記複数のパターンの中のいくつかの第2パターン(2”)は、前記しきい値よりも小さな幅を有したものとされている場合に、 基板(1)上に、パターン材料層(2)を成膜し、 このパターン材料層上に、マスク(3)を成膜し、 その後、このマスク上に、上部層(4)を成膜し、 第1樹脂(5)を成膜した後に、この第1樹脂を露光して現像することによって、形成されるべき前記第1パターン上にだけ、前記第1樹脂を残し、 前記上部層(4)を、露出されている部分に関して、エッチングし、 前記第1樹脂を除去し、 第2樹脂を成膜した後に、この第2樹脂を露光して現像することによって、形成されるべき前記第2パターン上にだけ、前記第2樹脂を残し、 前記マスク(3)を、露出されている部分に関して、エッチングし、 前記パターン材料層(2)を、露出されている部分に関して、エッチングし、これにより、前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成し、 前記第2樹脂(6)を除去する、 という集積回路ステージ形成方法において、 前記上部層の前記エッチング後に、さらに、前記マスク(3)をもエッチングし、 前記第1樹脂(5)の前記除去後に、第2マスク(9)を成膜し、 第2樹脂の前記成膜、前記露光、および、前記現像の後に、前記第2マスクを、露出されている部分に関して、エッチングする、 ことを特徴とする集積回路ステージ形成方法。

IPC (3)：

H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  H01L21/3065

FI (3)：

H01L21/30 502A ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/302 105A

F-Term (14)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB07 ,  5F004EA01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA32 ,  5F046AA01 ,  5F046AA02 ,  5F046AA09