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J-GLOBAL ID：200903015019560271
Gスイッチ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066303
Publication number (International publication number)：1998260202
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】外部からの微振動による摩耗の影響がなく、摩擦によるオンオフ性能のバラツキもないGスイッチを提供する。【解決手段】 基板2上には、Gスイッチ1を構成する圧電素子12、MOS-FET11、抵抗8、コンデンサ7、ダイオード16が配置されている。Gスイッチ1のマス13にG(加速度)が加わると、圧電素子12に応力が加わる。すると、圧電素子は圧電効果により、起電力が発生する。ダイオード16は、圧電素子12が発生した起電力を整流し、コンデンサ7は、前記整流された電流を充電電流にしてチャージされる。MOS-FET11は、コンデンサ7にチャージされたときの電圧をゲート電圧として印加され、閾値以上のゲート電圧が印加されたとき、導通する。又、放電抵抗8は、コンデンサ7にチャージされた電荷を放電し、MOS-FET11のオン時間を調整する。
Claim (excerpt)：
基板上に設けられた圧電素子と、前記圧電素子の上に接合した慣性質量体と、同基板上設けられ、前記圧電素子が発生した起電力を整流するダイオードと、前記基板上に設けられ、前記整流された電流を充電電流にしてチャージされるコンデンサと、前記基板上に設けられ、コンデンサにチャージされたときの電圧をゲート電圧として印加され、閾値以上のゲート電圧が印加されたとき、導通するMOS-FETと、前記基板上に設けられ、コンデンサにチャージされた電荷を放電し、前記MOS-FETのオン時間を調整する放電抵抗とを備えたGスイッチ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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