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J-GLOBAL ID：200903015020819190

化合物半導体の気相成長方法

Inventor： 林 純
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318763
Publication number (International publication number)：1994244109
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】3-5族化合物半導体の気相成長に関して、エッジグロースの生じない、エピタキシャルウェハー全面に渡って層厚の均一なエピタキシャル層を成長する。【構成】エピタキシャル成長時に反応管102内でエピタキシャル成長用基板105を対峙して位置させる筒状の上部反応室110及び下部反応室111の原料ガス供給口の周辺部に設置されたエッチングガス供給管112より、エッチングガスを供給しながら成長を行なう。

Claim (excerpt)：

反応管内に設けられた筒状の反応室の一端から原料ガスを送り、反応室の他端に原料ガスの流れと直角になるように対峙して保持された結晶基板の表面にエピタキシャル層を形成する化合物半導体の気相成長方法において、前記反応室の他端の周辺部よりエッチングガスを供給することを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。