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J-GLOBAL ID：200903015061810563

パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 臼杵 達哉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370629
Publication number (International publication number)：2000194142
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 インプリント法を用いたパターン形成方法に関し、特に、モールドと基板との圧着圧力を低減でき、且つ、基板温度の変更を伴わないパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に液体状の光硬化性物質からなる光硬化性物質層を形成する工程と、光透過性の物質からなり一方の面側に所定のパターンの溝が形成されたモールドを基板に圧着させる工程と、モールドの他方の面側から光を照射することにより光硬化性物質層を硬化し、溝のパターンに嵌合するパターンを有するレジストパターンを形成する工程と、基板からモールドを脱着する工程とによりパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

下地基板上に、液体状の光硬化性物質からなる光硬化性物質層を形成する工程と、光透過性の物質からなり、一方の面側に所定のパターンの溝が形成されたモールドを、前記一方の面側が前記下地基板の前記光硬化性物質層が形成された面側に対向するようにして、前記下地基板に圧着させる工程と、前記モールドの他方の面側から光を照射することにより前記光硬化性物質層を硬化し、前記光硬化性物質からなり、前記所定のパターンに嵌合するパターンを有するレジストパターンを形成する工程と、前記下地基板から前記モールドを脱着する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (7)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096CA12 ,  2H096EA03 ,  2H096FA01 ,  2H096HA01 ,  2H096HA11