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J-GLOBAL ID：200903015075131979

デバイスの製造方法

Inventor： エドウイン アーサー チヤンドロス ,  オムカラム ナラマス ,  エルサ ライクマニス ,  ゲーリー ニユートン テイラー ,  ラリー フラツク トンプソン
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233764
Publication number (International publication number)：1993029212
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 リソグラフ処理工程中でのレジストの線幅制御を行なう。【構成】 リソグラフ処理中の加工環境中に存在するアミン類のような塩基性物質による表面反応は化学増幅レジストのようなレジストの線幅制御性の喪失につながることが発見された。この線幅制御性の喪失は露光輻射線による発生された酸が例えば、アミンと反応することにより、本来起こるべき必要な化学反応が起こらなくなるために生じる。このような問題点は、レジスト層上に酸含有バリヤ層を使用することにより解決される。環境中の塩基性物質はバリヤ層中の酸と優先的に反応し、レジスト層中の酸とは反応しなくなるので、本来起こるべき必要な化学反応を正常に起こすことができるようになり、線幅制御性が維持される。

Claim (excerpt)：

基板上にレジスト層を形成し、前記レジストを所定のパターンで輻射線により露光し、前記パターン付レジストを現像し、そして、前記現像レジストを用いて前記デバイス領域を画成することからなるデバイスの製造方法において、前記露光により前記レジスト中に酸を生成し、そして、環境中の塩基性物質が基板上の前記レジストと反応することを防止する手段を使用することを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  C08L 33/00 ,  G03F 7/027

FI (2)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-287950
  
• 特開昭59-045493
  
• 特開昭50-152803
  
• 特開昭62-223747
  
• 特開昭62-079441