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J-GLOBAL ID:200903015084735860

スズメッキホイスカーの抑制方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 孝夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991055675
Publication number (International publication number):1993247683
Application date: Feb. 28, 1991
Publication date: Sep. 24, 1993
Summary:
【要約】〔目的〕 ボンディング温度やボンディング圧力も通常値に設定でき、安価で、信頼性の高いスズメッキホイスカーを抑制し得る方法を提供する。〔構成〕 フィルムキャリアーのインナーリードにスズメッキを施すに際し、まず厚さ0.05〜0.4μmのハンダメッキを施し、その上にハンダメッキ及びスズメッキ層の合計厚さが0.5〜1μmとなるようにスズメッキを施し、次いで80〜150°Cで0.5〜2時間加熱処理して、メッキ厚を0.3〜0.5μmとする。
Claim (excerpt):
フィルムキャリアーのインナーリードにスズメッキを施すに際し、まず厚さ0.05〜0.4μmのハンダメッキを施し、その上にスズメッキを施し、ハンダメッキ及びスズメッキ層の合計厚さを0.5〜1μmとし、次いで80〜150°Cで0.5〜2時間加熱処理して、メッキ厚を0.3〜0.5μmとすることを特徴とするスズメッキホイスカーの抑制方法。
IPC (5):
C25D 5/26 ,  C23C 18/52 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/36 ,  C25D 5/50

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