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J-GLOBAL ID：200903015087825194

バーンイン試験用プローブ構造

Inventor： 矢田 寛
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996045897
Publication number (International publication number)：1996304462
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【解決手段】 プローブ構造Aの保護膜3には、ICチップが入る程度の窓Bが形成され、ベース基板1上の導体パターン2の一部が露出して、リードプローブ4が形成される。ICチップの低融点金属バンプ5(その表面がスズ、その合金およびインジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の低融点金属から構成される。)と接触する平面状の接触部6の表面には、ロジウム、パラジウム、イリジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の貴金属が被覆される。【効果】 ICチップのバーンイン試験の際に、平面状の接触部6を被覆する貴金属がバンプ5の表面の低融点金属とマイグレーションを起こさない。バンプ5の頂上部にくぼみが発生するのを防止でき、ICチップの実装時の導通不良を解消できる。被検査体であるICチップへの圧力の調整が簡易化され、接触信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面がスズ、その合金およびインジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の低融点金属からなる突起電極を有する被検査体のバーンイン試験に用いられ、プローブ部のうち少なくとも該突起電極に接触する接触部の少なくとも表面がロジウム、パラジウム、及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の貴金属からなることを特徴とするバーンイン試験用プローブ構造。

IPC (3)：

G01R 1/073 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01R 1/073 E ,  G01R 31/26 H ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 H