有機TFTおよびその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002053595
Publication number (International publication number)：2003258260
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】プラスチック基板上に形成され、高いゲインを有する有機TFTを提供する。【解決手段】有機TFT10は、プラスチック基板12の上に、順次、ブロック層14、ゲート電極16、ゲート絶縁膜18および有機半導体20を有し、さらに、有機半導体20の上に対向、離間してソース電極22およびドレイン電極24を有する。ブロック層14は二酸化珪素で形成される。ゲート電極16はタンタルで形成される。ゲート絶縁膜18はゲート電極16を陽極酸化して、高い比誘電率を有する薄厚で緻密な膜に形成される。有機半導体20は材料としてペンタセンを用い、キャリアの移動度の大きなチャネルが形成される。

Claim (excerpt)：

プラスチック基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体ならびにソース電極およびドレイン電極を有する有機TFTにおいて、該ゲート絶縁膜が、該ゲート電極の表面を陽極酸化して形成された金属酸化膜からなることを特徴とする有機TFT。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 51/00

FI (8)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/316 T , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 W , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 626 C , H01L 29/28

F-Term (38)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104GG09 , 5F058BC03 , 5F058BF70 , 5F058BJ01 , 5F110AA07 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110DD18 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-274283 Applicant：シャープ株式会社
プラズマアドレス型有機EL装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-264105 Applicant：出光興産株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-177615 Applicant：三洋電機株式会社

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