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J-GLOBAL ID:200903015109623272
多核金属錯体、該多核金属錯体の製造法、該多核金属錯体の使用、エレクトロルミネッセンス層装置、該エレクトロルミネッセンス層装置の製造法および発光構成要素
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003206477
Publication number (International publication number):2004075681
Application date: Aug. 07, 2003
Publication date: Mar. 11, 2004
Summary:
【課題】リン光放射体として適当であり、容易に製造されることができ、かつ溶液から施与されてよく、上記の欠点、例えば複雑な配位子合成および再結晶への強い傾向を有しない新規の化合物を提供する【解決手段】一般式(I)(LmMe-HL)n-XL (I)[式中、Meは遷移金属を表し、Lは2座キレート形成配位子を表し、HLは遷移金属Meをキレート状に錯化し付加的にリンカーXLに結合されている2座キレート形成配位子を表し、XLはn-官能性リンカーを表し、該XLはn個の補助配位子HLに共有結合されており、nは2〜6の整数を表し、mは1〜3の整数を表す]の多核金属錯体。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
一般式(I)
(LmMe-HL)n-XL (I)
の多核金属錯体において、
Meは遷移金属を表し、
Lは2座キレート形成配位子を表し、
HLは遷移金属Meをキレート状に錯化し付加的にリンカーXLに結合されている2座キレート形成配位子を表し、
XLはn-官能性リンカーを表し、該XLはn個の補助配位子HLに共有結合されており、
nは2〜6の整数を表し、
mは1〜3の整数を表す
ことを特徴とする、一般式(I)の多核金属錯体。
IPC (8):
C07D213/16
, C07D213/26
, C07D409/04
, C07F5/00
, C07F15/00
, C09K11/06
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (8):
C07D213/16
, C07D213/26
, C07D409/04
, C07F5/00 H
, C07F15/00 E
, C09K11/06 660
, H05B33/10
, H05B33/14 B
F-Term (33):
3K007AB03
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4C055AA01
, 4C055BA02
, 4C055BA08
, 4C055BA11
, 4C055CA01
, 4C055DA01
, 4C063AA01
, 4C063BB01
, 4C063CC94
, 4C063DD12
, 4C063EE10
, 4H006AA01
, 4H006AB92
, 4H006AC59
, 4H006BA52
, 4H006BA66
, 4H039CA71
, 4H039CD40
, 4H048AA01
, 4H048AA03
, 4H048AB92
, 4H048VA85
, 4H048VB10
, 4H050AA01
, 4H050AA03
, 4H050AB92
, 4H050WB13
, 4H050WB14
, 4H050WB22
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