電界放射型冷陰極の製造方法、およびその製造方法により作製された電界放射型冷陰極素子を用いたCDT装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995011395
Publication number (International publication number)：1996203422
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】適切なエミッター先端とゲート電極の位置にすることが可能な電界放射型冷陰極の製造方法を提供する。【構成】 (a)単結晶基板表面のエミッターを形成する領域を所定径のマスクで被覆する。(b)該被覆されたマスク以外の部分を該マスクの径から予測される最適な厚みまで導電性を有する層に変質させて導電性層を形成する。(c)被覆したマスクを除去し、該マスクを除去した部分に面方位に依存したエッチングを選択的に行ってV溝あるいは逆錘形のピットを形成する。(d)ピットが形成された面の全面に、所定の厚みの絶縁層を形成し、該絶縁層上にエミッター材料を成膜する。(e)成膜したエミッター材料の面を絶縁体からなる別の支持基板に接合する。(f)単結晶基板および絶縁層の一部の層を順次除去してエミッター部を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板表面のエミッターを形成する領域を所定径のマスクで被覆し、該被覆されたマスク以外の部分を該マスクの大きさに応じて求められる厚さまで導電性を有する層に変質させて導電性層を形成する第1の工程と、前記第1の工程で被覆したマスクを除去し、該マスクを除去した部分に面方位に依存したエッチングを選択的に行ってV溝あるいは逆錘形のピットを形成する第2の工程と、前記第2の工程でピットが形成された面の全面に、所定の厚みの絶縁層を形成する第3の工程と、前記第3の工程で形成された絶縁層上に、エミッター材料を成膜する第4の工程と、前記第4の工程で成膜したエミッター材料の面を絶縁体からなる別の支持基板に接合し、単結晶基板および前記第3の工程で形成された絶縁層の一部の層を順次除去してエミッター部を形成する第5の工程とを含むことを特徴とする電界放射型冷陰極の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 , H01J 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電界放出陰極の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-009868 Applicant：三菱電機株式会社
冷陰極電子銃の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-360994 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
電子銃及び陰極線管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-145549 Applicant：双葉電子工業株式会社

Show all

Return to Previous Page