Pat

J-GLOBAL ID：200903015125569040

熱処理装置

Inventor： 大加瀬 亘
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン東北株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088976
Publication number (International publication number)：1993291158
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 クリーンルームを汚染せず、半導体ウェハを歩留りよく製造する。【構成】 プロセスチューブ21の蓋体26の内側面に加熱ガスの循環路41を設ける。循環路41はプロセスチューブ21内で半導体ウェハWを支持する石英ボート24を回転する回転機構の軸38と蓋体26との間隙41aを通って蓋体26の内側面部分41bに導かれるように形成する。この循環路41に反応生成物の気化温度以上に加熱された加熱ガスを循環させる。【効果】 反応生成物は蓋体26の内側面41bが加熱されるされるため蓋体26及びプロセスチューブ21の下方部分に付着しない。汚染源が発生しないため半導体ウェハやクリーンルームを汚染しない。更に間隙41aに循環ガスが逆方向に流れているためここから反応ガスが漏洩しない。

Claim (excerpt)：

被処理体を水平に複数枚支持する支持体を下方から挿入する開口部を有し導入される反応ガスにより前記被処理体の処理が行われる筒状反応容器と、前記筒状反応容器内を気密に保持する前記開口部の蓋体と、前記筒状反応容器を包囲して設けられる加熱部とを備えた熱処理装置において、前記蓋体の前記筒状反応容器内側面を加熱して反応生成物の付着を防止する加熱装置を設けたことを特徴とする熱処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-032977
  
• 特開平3-268422
  
• 特開平4-040227