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J-GLOBAL ID：200903015127945317

半導体用拡散炉部材

Inventor： 茅根 美治 ,  藤田 房雄 ,  宮崎 和明
Applicant, Patent owner： 三井造船株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253501
Publication number (International publication number)：1993094957
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 耐熱衝撃性、耐汚染性に優れ、軽量で熱容量の小さい高特性半導体用拡散炉部材を提供する。【構成】 平均気孔径が250μm以下、気孔率12〜70%の多孔質SiC基体2の表面層に、厚さ10〜200μmの化学蒸着法によるSiC浸透層3が形成され、該浸透層3上に厚さ10μm以上の化学蒸着法による緻密SiC被覆層4が形成されている。【効果】 内部多孔質、表面緻密質のSiCよりなり、しかも、表面の緻密SiC被覆層と内部の多孔質SiC基体とは、SiC含浸層を介して強固に一体化されるため、?@ 昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優れる。?A 高温における使用に際して、不純物を外部に放出することがなく(拡散障壁)、耐汚染性に優れる。?B 軽量でハンドリング性に優れる。?C 熱容量が小さく、加熱し易い。

Claim (excerpt)：

平均気孔径が250μm以下、気孔率12〜70%の多孔質炭化珪素基体の表面層に、厚さ10〜200μmの化学蒸着法による炭化珪素浸透層が形成され、かつ、該浸透層上に厚さ10μm以上の化学蒸着法による緻密炭化珪素被覆層が形成されてなることを特徴とする半導体用拡散炉部材。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  C30B 25/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-085076
  
• 特開昭58-084427