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J-GLOBAL ID：200903015140862943
PZT系強誘電体薄膜およびその形成方法ならびに同薄膜を用いた機能素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院東北工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038055
Publication number (International publication number)：1999220185
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ゾル・ゲル法による薄膜形成時に、有機物熱分解の温度を制御することにより、基板の表面に(100)面が膜厚方向に対して配向した結晶方位をもつPZT系強誘電体薄膜を形成し、微小変位制御用のアクチュエータなどに利用できる圧電効果をもつをPZT系強誘電体薄膜得る。【解決手段】 (111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層を形成した基板に(100)面が膜厚方向に配向するPZT系強誘電体薄膜を形成する。特に、該PZT系強誘電体薄膜は有機金属化合物前駆体をコーティング後、昇温速度30〜500°C/s、加熱温度350〜500°C、保持時間1〜5分の条件で前記有機金属化合物前駆体を熱分解して形成する。
Claim (excerpt)：
(111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層を形成した基板に(100)面が膜厚方向に配向するPZT系薄膜を形成したことを特徴とするPZT系強誘電体薄膜。
IPC (6)：
H01L 41/09
, C23C 18/00
, C23C 18/12
, H01B 3/00
, H01B 3/12 301
, H01L 41/26
H01L 41/08 C
, C23C 18/00
, C23C 18/12
, H01B 3/00 F
, H01B 3/12 301
, H01L 41/22 C
