Pat

J-GLOBAL ID：200903015149525451

無電解パラジウムめっき方法及びそれに用いる無電解めっき浴

Inventor： 佐藤 祐一 ,  天日 勝也
Applicant, Patent owner： 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093966
Publication number (International publication number)：1994280031
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 表面活性化やマスク作成を要することなく部分選択的なめっきが可能である無電解パラジウムめっき浴及びその無電解めっき方法を提供する。【構成】 この発明の無電解パラジウムめっき方法は、パラジウム化合物として、酢酸パラジウム又は塩化パラジウムを含有するとともに次亜リン酸ナトリウムとエチレンジアミンとを含有するめっき浴を用い、めっき浴中に浸漬しためっき対象物にレーザを照射することによって、パラジウムの高速部分めっきを直接的に行なうものである。なお、塩化パラジウムを用いた場合は、タリウム化合物を添加するようにしている。

Claim (excerpt)：

パラジウム化合物と次亜リン酸ナトリウムとエチレンジアミンとを含有するめっき浴を用いる無電解パラジウムめっき方法において、パラジウム化合物として酢酸パラジウムを用いるとともに、めっき浴に浸漬しためっき物にレーザを照射することを特徴とする無電解パラジウムめっき方法。

IPC (2)：

C23C 18/14 ,  C23C 18/42