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J-GLOBAL ID：200903015155979103
半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991225226
Publication number (International publication number)：1993047629
Application date： Aug. 09, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 パターン形状の方向や線幅等により照明方法を変えたときの投影光学系の使用形態の変化による光学特性の変位を調整することにより、高解像度の投影露光が可能な半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置を得ること。【構成】 放射ビームで2次光源を形成し、該2次光源からの2次ビームにより原板の回路パターンを照明し、投影光学系により該2次ビームで照明された回路パターンの像を感応性基板上に投影する段階を含む半導体デバイスの製造方法において、前記2次光源の形状の変更に応じた前記投影光学系の使用態様変化における前記投影光学系の光学特性の変位のうち少なくとも一つを調整する段階を有すること。
Claim (excerpt)：
放射ビームで2次光源を形成し、該2次光源からの2次ビームにより原板の回路パターンを照明し、投影光学系により該2次ビームで照明された回路パターンの像を感応性基板上に投影する段階を含む半導体デバイスの製造方法において、前記2次光源の形状の変更に応じて前記投影光学系の光学特性の少なくとも一つを調整する段階を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 311 L
, H01L 21/30 301 P
Cited by examiner (6)
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