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J-GLOBAL ID：200903015166432645

半導体発光素子

Inventor： 宮嶋 孝夫 ,  フレッド・ピー・ロウグ ,  ジョン・エフ・ドネガン ,  ジョン・ヘガティー
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  ザ プロボスト フェローズ アンド スカラーズ オブ ザ カレッジ オブ ザ ホーリー アンド アンディバイデッドトリニティー オブ クイーン エリザベス ニア ダブリン
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994230285
Publication number (International publication number)：1996298352
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 室温においても擬二次元系の励起子を用いることが可能なII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する。【構成】 第1のクラッド層2と単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層3と第2のクラッド層4とを有する半導体発光素子において、第1のクラッド層2および第2のクラッド層4のエネルギーギャップをEgcとし、活性層3を構成する量子井戸層のエネルギーギャップをEgwとしたとき、絶対零度においてEgw/Egc≦0.82の条件が満たされるように量子井戸構造を設計する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層と、上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層はII-VI族化合物半導体から成り、上記第1のクラッド層および上記第2のクラッド層がエネルギーギャップEgcを有し、上記活性層を構成する量子井戸層がエネルギーギャップEgwを有するとしたとき、絶対零度においてEgw/Egc≦0.82の条件が満たされていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D