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J-GLOBAL ID：200903015176314390

化合物半導体装置

Inventor： 安田 武
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025028
Publication number (International publication number)：1993226582
Application date： Feb. 12, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】高耐圧・高出力で低雑音の化合物半導体装置の提供することを目的とする。【構成】電荷効果素子部と容量素子部分のうち容量素子部分をMIMIM(Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal)構造の積層構造とする。【効果】従来に比較し同条件で形成した場合容量素子面積が4分の1となる。また容量素子部が小さくなるので化合物半導体装置が安価に製造することができる。

Claim (excerpt)：

容量素子を有する化合物半導体装置において、前記容量素子は第1層金属と、前記第1層金属上に形成された絶縁膜を介して前記絶縁膜上に形成された第2層金属と、前記第2層金属上に形成された絶縁膜を介して形成された第3層の金属層とからなる積層構造によって形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/338