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J-GLOBAL ID：200903015187246671
固体撮像装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145939
Publication number (International publication number)：1996340099
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 電荷読み出し時において、電荷蓄積部から電荷転送部への読み出し経路の電界を緩和し、暗電流の増倍を抑えて画面上の白キズによる不良発生を防ぐ。【構成】 N型半導体基板1には、光電変換により生成される信号電荷を蓄積する電荷蓄積部となる第2のN型不純物拡散層5と、信号電荷を転送するための電荷転送部となる第1のN型不純物拡散層4と、電荷蓄積部の信号電荷を電荷転送部に転送するための読み出しチャンネル部となる第2のP型不純物拡散層9とが形成されている。電荷蓄積部と読み出しチャンネル部との界面部には第3のN型不純物拡散層6が形成されている。第3のN型不純物拡散層6は、第2のN型不純物拡散層5より低い不純物濃度を有している。
Claim (excerpt)：
第1導電型の不純物領域よりなる電荷蓄積部を有し、光電変換により信号電荷を生成しかつ生成した信号電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する光電変換部と、信号電荷を転送する電荷転送部と、前記光電変換部と前記電荷転送部との間に形成され、第2導電型の不純物領域よりなり前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記電荷転送部に読み出すための読み出しチャンネル部とを備えた固体撮像装置であって、前記光電変換部の電荷蓄積部と前記読み出しチャンネル部との界面部に、不純物濃度が前記電荷蓄積部よりも低い第1導電型の不純物領域を備えていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
