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J-GLOBAL ID：200903015217846075

UVフォトディテクタ

Inventor： 村松 雅治 ,  須山 本比呂 ,  山本 晃永
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993005065
Publication number (International publication number)：1994216404
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、紫外線の照射が検出できるUVフォトディテクタを提供することを目的とする。【構成】 受光面である第2半導体層(16)のバンドギャップが、不純物領域(14)よりも広いので、第2半導体層(16)に入射した短波長光の吸収効率が向上する。また、第1半導体層(13)は薄く形成されているので、第2半導体層(16)に入射した長波長光のほとんどは、第2半導体層(16)、不純物領域(14)および第1半導体層(13)を通り抜けてしまい吸収されることはない。このように、本発明のUVフォトディテクタ(10)は、短波長光の入射に対して高い感度を持つと共に、長波長光に対して感度を持たない。

Claim (excerpt)：

膜厚の薄い第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の上層部に形成された第2導電型の不純物領域と、前記不純物領域の上に形成され、前記不純物領域よりもバンドギャップが広い前記第2導電型の第2半導体層とを備えることを特徴とするUVフォトディテクタ。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  G01J 1/42