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J-GLOBAL ID：200903015219168783

半導体封止用エポキシ組成物

Inventor： 堤 康章 ,  萱場 啓司 ,  田中 正幸
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992180143
Publication number (International publication number)：1994025511
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の半田付け工程において樹脂とチップの界面剥離および樹脂パッケージのクラック発生を抑えて信頼性の向上を得、なおかつ成形性に優れた半導体封止用エポキシ組成物を提供することにある。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、溶融シリカおよび変性スチレン系ブロック共重合体を必須成分として含有してなる組成物であって、前記溶融シリカの平均粒子径が15μm以下の破砕溶融シリカ99〜50重量%と、平均粒子径が4μm以下の球状溶融シリカ1〜50重量%からなり、かつ溶融シリカの割合が全体の50〜95重量%であり、変性スチレン系ブロック共重合体がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。【効果】 成形性に優れ、半田耐熱性にも優れることから工業的に有用である。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、溶融シリカ(C)および変性スチレン系ブロック共重合体(D)を必須成分として含有してなる組成物であって、前記溶融シリカ(C)の平均粒子径が15μm以下の破砕溶融シリカ99〜50重量%と、平均粒子径が4μm以下の球状溶融シリカ1〜50重量%からなり、かつ前記溶融シリカ(C)の割合が全体の50〜95重量%であり、前記変性スチレン系ブロック共重合体(D)がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。

IPC (5)：

C08L 63/00 NJN ,  C08L 63/00 NKX ,  C08G 59/18 NKK ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-050222
  
• 特開平2-218734
  
• 特開平2-099551
  
• 特開平3-255154