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J-GLOBAL ID：200903015227010056

スパッタリングターゲットの表面処理方法

Inventor： 岸川 隆之 ,  本田 好範 ,  吉田 弘幸 ,  加藤 章
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116206
Publication number (International publication number)：1995316804
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】スパッタリングターゲット表面の非エロージョン領域に堆積した膜の密着性を向上し、膜の剥離を軽減する。【構成】スパッタリングターゲット表面の全域もしくは非エロージョン領域をHv800以上の硬度及び100μm以上の粒径を有する投射材によりブラスト処理することにより粗す。【効果】非エロージョン領域に堆積した膜の剥離を軽減することが出来る。さらに、膜の剥離が起因となって発生する製品への異物の付着,電極の短絡,異常放電等も軽減することが出来る。

Claim (excerpt)：

スパッタリングターゲット表面の少なくとも非エロージョン領域を、Hv800以上の硬度及び100μm以上の粒径を有する投射材によりブラスト処理することにより、該表面を方向性の無いランダムな粗面に粗すことを特徴とするスパッタリングターゲットの表面処理方法。