Pat

J-GLOBAL ID：200903015232275513

半導体受光素子及びその製造方法

Inventor： 鈴永 浩 ,  田口 一郎 ,  丹沢 勝二郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998130442
Publication number (International publication number)：1999330501
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電体分離法を用いて集積化され、かつ、赤外領域において高い受光効率を示す半導体受光素子とその製造方法を提供する【解決手段】半導体基板上に第1の屈折率を有する膜と第2の屈折率を有する膜とが交互に積層された多重反射膜を形成し、この多重反射膜を介して素子層と半導体基板とを接着し、この素子層に誘電体分離法を適用して複数の素子領域を形成し、これらの素子領域に受光素子等を形成することにより、互いに誘電体分離された集積化半導体受光素子を得ることができる。前記多重反射膜は半導体基板と素子層とを互いに絶縁すると同時に、素子領域に形成された受光素子への入射光を反射し、再度受光素子に入射することにより、素子層の厚さを等価的に2倍とし、シリコンの吸収係数が低下する赤外領域においても高い受光効率を示す半導体受光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の素子層に形成された半導体受光素子において、前記素子層は前記半導体基板との界面に第1の屈折率を有する膜と第2の屈折率を有する膜とが交互に積層された多重反射膜を備え、前記多重反射膜は、前記素子層と前記半導体基板とを絶縁分離し、かつ、前記素子層に形成された半導体受光素子を透過した透過光を前記界面で反射し、この反射光を再度前記半導体受光素子に入射することを特徴とする半導体受光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体分離基板を用いた光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-268225   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007339   Applicant：日本電気株式会社
• 窒素配合を用いた光遮断用テルル化カドミウム膜の光導電性減少
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-528478   Applicant：ヒューズ-ジェイブイシーテクノロジーコーポレイション