Pat
J-GLOBAL ID：200903015233083626
受動的Qスイッチピコ秒マイクロレーザー
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小田島 平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995521349
Publication number (International publication number)：1997508755
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：
【要約】極めて短い持続時間の高ピークパワー光パルスを生成するための受動的Qスイッチマイクロレーザー(10)のための装置及び方法が、開示される。装置は、レーザー空洞(16、18)内の配設された利得媒体(12)と可飽和吸収器(14)を具備する。空洞(16、18)がポンピングされる時、可飽和吸収器(14)は、空洞(16、18)内の反転密度が、臨界値に達するまで、レーザー発光の開始を防止する。空洞(16、18)の長さ、材料パラメータ、及び鏡(16、18)の反射率は、約1nsよりも小さな持続時間で、約10kWを超えるピークパワーのパルスが、獲得される如く、選択される。発明は、高精度光レーダー、非線形光学系、ミクロ機械加工、顕微手術、ロボット視覚、及び極めて短い持続時間の高ピークパワーレーザーパルスを必要とする他の技術において応用を有する。
Claim (excerpt)：
a)第1鏡(16)と第2鏡(18)の間に形成された共振空洞と、b)レーザー利得を生成するために該共振空洞内に配設された利得媒体(12)と、c)該利得媒体(12)を付勢するためのポンプ源(22)と、d)該共振空洞内に配設された可飽和吸収器(14)とを具備し、該可飽和吸収器(14)、該第2鏡(18)、及び該レーザー利得が、出力パルス(24)が発生され、該パルスは、約1ナノ秒よりも小さな持続時間を有する如く選択されることを特徴とする受動的Qスイッチレーザー。
Patent cited by the Patent：
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
