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J-GLOBAL ID：200903015236809660
磁性メモリの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶原 康稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999136956
Publication number (International publication number)：2000331472
Application date： May. 18, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。【解決手段】 ガラス基板上に、まず第一磁性層10としてFeを成膜する。次に、Fe10の中心に、絶縁層12としてAlを、4.5mmφの大きさで1.5nmの膜厚に成膜する。この絶縁層12の形成は、酸素が全ガス量に対する体積割合で2.00%含まれるAr混合ガスを使用し、スパッタ圧10mTorrで行う。酸素を含むガス雰囲気中で反応性スパッタを行うことで、Al酸化膜による絶縁層が形成される。次に、前記絶縁層12の中心上に、第二磁性層14としてCoを成膜する。
Claim (excerpt)：
第一の強磁性層を形成する第一の工程;前記第一の強磁性層上に、酸素と金属を反応させて絶縁層を積層形成する第二の工程;前記絶縁層上に、第二の強磁性層を積層形成する第三の工程;を含むことを特徴とする磁性メモリの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
