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J-GLOBAL ID：200903015248701865

半導体を用いた電気化学センサ

Inventor： 冨田 勝彦 ,  高松 修司 ,  中西 剛 ,  野村 聡 ,  田辺 裕貴 ,  中尾 基
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212815
Publication number (International publication number)：1997043193
Application date： Jul. 29, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 電気的特性が良好かつ安定な半導体を用いた高性能の電気化学センサを提供すること。【解決手段】 半導体基板の一方の面に物質に応答するセンシング部8を形成した半導体を用いた電気化学センサ10において、前記半導体基板として、シリコン単結晶基板1上に酸化アルミニウム薄膜2を形成し、この酸化アルミニウム薄膜2上にシリコン単結晶薄膜3を形成したシリコン/酸化アルミニウム/シリコン基板4を用いた。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の面に物質に応答するセンシング部を形成した半導体を用いた電気化学センサにおいて、前記半導体基板として、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜を形成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン単結晶薄膜を形成したシリコン/酸化アルミニウム/シリコン基板を用いたことを特徴とする半導体を用いた電気化学センサ。

IPC (4)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146

FI (5)：

G01N 27/30 301 W ,  H01L 27/12 Z ,  G01N 27/46 U ,  G01N 27/46 353 Z ,  H01L 27/14 C