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J-GLOBAL ID：200903015252728662
半導体集積回路装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227634
Publication number (International publication number)：1993067738
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の高集積化を図る。【構成】 pチャネルMOSQp1とバイポーラトランジスタTrを有する半導体集積回路装置において、pチャネルMOSQp1のドレイン電極15Bとバイポーラトランジスタのベース電極15Bとを、同一層のゲート材15Bで一体に構成し、電気的に接続する。【効果】 前記pチャネルMOSQp1のドレイン領域10に接続される電極15とバイポーラトランジスタTrのベース引出し用電極15を接続するための配線(19)が不要になると共に、この配線を接続する際の接続孔が不要となる。また、この配線が配置されていた領域に他の配線を設けることができるので、この配線を他の領域に設ける必要な領域に相当する分、高集積化を図ることができる。また、基本ゲート回路の面積を縮小できる。
Claim (excerpt)：
同一基板に、MISFETとバイポーラトランジスタとを有する半導体集積回路装置において、前記MISFETのソース領域又はドレイン領域に自己整合で接続され、かつ、ゲート材で構成される電極、及び前記バイポーラトランジスタのベース領域に接続される電極の夫々を、同一層のゲート材で一体に構成し、かつ、電気的に接続することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/06 321 G
, H01L 21/82 M
