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J-GLOBAL ID：200903015255911506

成膜装置

Inventor： 本庄 禎治 ,  柿沼 正康 ,  大海 元祐 ,  大島 宜浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997128437
Publication number (International publication number)：1998318957
Application date： May. 19, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜特性の評価の信頼性が高く、薄膜に対するダメージが少ないと共に評価のための作業効率がよく生産性に優れた成膜装置を提供する。【解決手段】 フィルム106に形成された薄膜の特性を真空室101の内部において評価するための薄膜評価手段200を備えている。薄膜評価手段200は、真空室101内に配設された一対の電極207a,207aを含み、薄膜の評価時において、これらの電極207a,207aをフィルム106に形成された薄膜に対して接触させることにより薄膜の特性(例えば抵抗値)を評価する。操作つまみ205が左右に回転操作されることによりアーム204が回動し、これにより電極207a,207aがフィルム106に電気的に接触した状態と、フィルム106から離れた状態とを選択できる。アーム204の他端部には薄膜特性評価用の評価用基板210が離脱可能に保持されており、操作つまみ205の回転操作によってアーム204からフィルム106側へ移動する。

Claim (excerpt)：

被処理物の表面に薄膜を形成するための薄膜形成部を有する真空室と、導電性部材により2極に分割して形成されると共に前記真空室の内部に前記被処理物に形成された薄膜に対して選択的に接触可能に設けられた電極部材と、前記真空室の外部からの操作に応じて前記電極部材を被処理物に形成された薄膜に対して選択的に接触させる選択接触手段と、前記電極部材に電気的に接続されると共に前記電極部材の薄膜への接触時において前記電極部材を介して薄膜の特性を検出する検出手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (6)：

G01N 27/04 ,  C23C 14/56 ,  G01B 7/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66

FI (6)：

G01N 27/04 Z ,  C23C 14/56 E ,  G01B 7/06 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 L