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J-GLOBAL ID：200903015261977535

ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ

Inventor：
ウィリアム・ヘー・ファンデンベルヘ

About ウィリアム・ヘー・ファンデンベルヘ

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アンネ・エス・フェルフルスト

About アンネ・エス・フェルフルスト


Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

About アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント

About カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント


Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008057424
Publication number (International publication number)：2008252086
Application date： Mar. 07, 2008
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：
【課題】減少した総ゲート容量、改善したスイッチング速度、プロセス上の利点を有するトンネル電界効果トランジスタおよびこれを製造する方法を提供する。【解決手段】トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、ソース-チャネル-ドレイン構造と、ゲート電極とを備え、該ソース-チャネル-ドレイン構造は、少なくとも1つのドープしたソース領域と、少なくとも1つのドープしたドレイン領域と、少なくとも1つのソース領域と少なくとも1つのドレイン領域の間に位置しており、ソース領域とのソース-チャネル界面、およびドレイン領域とのドレイン-チャネル界面を形成する少なくとも1つのチャネル領域とを備え、該ゲート電極は、少なくとも1つのソース領域の少なくとも一部を覆い、少なくともソース-チャネル界面まで延びており、ゲート電極の端部とドレイン-チャネル界面の平面との間に有限な距離が存在して、ドレイン領域でのゲート電極による被覆が無いようにしている。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
・ソース-チャネル-ドレイン構造と、 ・ゲート電極とを備えたトンネル電界効果トランジスタであって、 該ソース-チャネル-ドレイン構造は、少なくとも1つのドープしたソース領域と、少なくとも1つのドープしたドレイン領域と、少なくとも1つのソース領域と少なくとも1つのドレイン領域の間に位置しており、ソース領域とのソース-チャネル界面、およびドレイン領域とのドレイン-チャネル界面を形成する少なくとも1つのチャネル領域とを備え、 該ゲート電極は、少なくとも1つのソース領域の少なくとも一部を覆い、少なくともソース-チャネル界面まで延びており、ゲート電極の端部とドレイン-チャネル界面の平面との間に有限な距離が存在して、ドレイン領域でのゲート電極による被覆が無いようにした、トンネル電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06
FI (4)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/66 T ,  H01L29/06 601N
F-Term (32)：
5F110AA02 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC10 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110HK01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HM14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • MOS型半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001335   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-335132   Applicant：松下電器産業株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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