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J-GLOBAL ID：200903015281397527

プリアンプ付フォトダイオード構造

Inventor： 船場 真司 ,  山下 光二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341667
Publication number (International publication number)：1994169078
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プリアンプ付フォトダイオード構造において、フォトダイオードチップ電極と増幅用ICチップ間の浮遊容量を低減する。【構成】 増幅用ICチップI表面の、フォトダイオードチップPの下面に対向する位置に、所要の長さの溝A1を設け、フォトダイオードチップP電極4a,4bと、増幅用ICチップIの表面である溝の底との間の距離を遠ざける。【効果】 フォトダイオード電極と増幅用ICチップ間の浮遊容量を低減することにより、高速応答が可能となる。かつハンダによるショートの危険性を除去することができる。

Claim (excerpt)：

プリアンプを有するフォトダイオードの構造において、プリアンプを構成する増幅用ICチップの表面の2つの電極に、裏面入射型のフォトダイオードの2つの電極をそれぞれ半田付けしてなり、かつ該フォトダイオードの下面に対向する上記ICチップの表面に、上記フォトダイオードの上記2つの電極のうちの長い方の第1の電極の電極引き出し部に対向する部分を少なくとも含む溝を設けてなることを特徴とするプリアンプ付フォトダイオード構造。